ነጠላ ክሪስታል ሲሊከን እጅግ በጣም ዝቅተኛ ኪሳራ ሉላዊ መስታወት

ነጠላ ክሪስታል ሲሊኮን እጅግ በጣም ዝቅተኛ ኪሳራ ሉላዊ መስታወት ለትክክለኛነት EUV ሲስተምስ

የ<0.1 nm የገጽታ ሸካራነት እና 99.9999% የቁሳቁስ ንጽህናን ለማሳካት መሐንዲስ ነጠላ ክሪስታል ሲሊከን እጅግ በጣም ዝቅተኛ ኪሳራ ሉላዊ መስታወት ለጽንፈኛ አልትራቫዮሌት (EUV) ሊቶግራፊ፣ ኳንተም ኮምፒውቲንግ፣ እና የኤሮስፔስ ሲስተም የእይታ ትክክለኛነትን እንደገና ይገልጻል። በአቀባዊ የተቀናጀ ማምረቻ ከክሪስታል እድገት እስከ አይኤስኦ የተረጋገጠ የሜትሮሎጂ፣ ከ10K የሙቀት ጭነት በታችም ቢሆን የλ/500 ወለል ትክክለኛነትን የሚጠብቁ መስተዋቶችን እናቀርባለን።

ግቤቶች

መስታወቶቻችን ለምን ይበልጣል

የአቶሚክ-ደረጃ የገጽታ ፍጹምነት

• ንዑስ-ångström ልስላሴ፡ ≤0.12 nm ራ ሻካራነትን በማግኔትቶሎጂካል አጨራረስ ማሳካት፣ የብርሃን መበታተንን በ EUV lithography እና የጨለማ መስክ ፍተሻ - ለ 3nm ቺፕ ምርት ወሳኝ የሆነ የአቶሚክ-መጠን ስህተቶች የ13.5nm ብርሃንን የሚያዛባ፣ እንከን የለሽ ጥለት መለየት እና ማረጋገጥ።
• ዜሮ የከርሰ ምድር ጉዳት፡- ከውጥረት ነጻ የሆነ ማጥራት በሌዘር የሚፈጠሩ ስብራትን ይከላከላል፣ ለ EUV ሰብሳቢ መስተዋቶች እና ለኤልዲአይ ስርዓቶች በጣም አስፈላጊ፣ የቁሳቁስ ጭንቀት ከፍተኛ ኃይል ባለው የልብ ምት ውስጥ ከፍተኛ ውድመት ሊያስከትል በሚችልበት እና በሴሚኮንዳክተር ፋብሪካዎች ውስጥ በ10⁸+ ዑደቶች ውስጥ ታማኝነትን ይጠብቃል።
• የክሪስታልግራፊክ ተመሳሳይነት፡ <0.1° በጠቅላላው ወለል ላይ ያለው አቅጣጫ መዛባት ወጥነት ያለው የኦፕቲካል ባህሪያትን ያረጋግጣል፣ የፎቶሊተግራፊ ጨረር መቅረጽ እና የመመርመሪያ መሳሪያዎች ቁልፍ - ይህ ተመሳሳይነት የአካባቢያዊ የአፈፃፀም ጠብታዎችን ይከላከላል ፣ ለአስተማማኝ የ 3nm የመስቀለኛ ክፍል ማምረት እና ከፍተኛ ትክክለኛነት ጉድለቶች ትንተና።

EUV-የተመቻቸ አፈጻጸም

• 95%+ ነጸብራቅ በ 13.5 nm የሞገድ ርዝመት፡ በ EUV lithography ለ 3nm ቺፕ ምርት ከፍተኛውን የፎቶን አጠቃቀም ያረጋግጣል፣ እያንዳንዱ 13.5nm ፎቶን ለትክክለኛው ስርዓተ-ጥለት ወሳኝ ነው—ይህ ከፍተኛ አንፀባራቂ የኃይል መጥፋትን ይቀንሳል፣ በሴሚኮንዳክተር ፋብሪካዎች ላይ ያለውን ምርት በብቃት በብርሃን ላይ ጥገኛ ያደርጋል።
• <5 ppm የመምጠጥ መጥፋት በ20 W/cm² EUV ፍሰት፡ ከፍተኛ ኃይል ባለው EUV ስርዓቶች ላይ ከመጠን በላይ ማሞቂያ እና የአፈጻጸም መራቆትን ይከላከላል፣ በአሰባሳቢ መስተዋቶች ላይ መረጋጋትን እና የጨረር ቀረጻዎችን በከፍተኛ ፍሰት ውስጥ በመጠበቅ፣ የ3nm መስቀለኛ መንገድ ዑደትን የሚያበላሽ የሙቀት መዛባትን ለማስወገድ ወሳኝ ነው።
• 0.05 ፒፒኤም/ኬ የሙቀት ማስፋፊያ መረጋጋት፡ በ EUV መሳሪያዎች ላይ በሚደረጉ የሙቀት መጠን መለዋወጥ ላይ የመጠን ወጥነት ዋስትና ይሰጣል፣ በፎቶሊተግራፊ እና በፍተሻ ስርዓቶች ውስጥ የአሰላለፍ ትክክለኛነትን ያረጋግጣል - ይህ መረጋጋት የ 3nm የማምረት ትክክለኛነትን ሊጎዳ የሚችል የተሳሳተ አቀማመጥ ይከላከላል፣ ምንም እንኳን የአሠራር ሙቀት ቢለያይም።

ተልዕኮ-ወሳኝ አስተማማኝነት

• በ 10/24 ከፍተኛ ሃይል ኦፕሬሽን ስር የ7-አመት የህይወት ዘመን፡ በ EUV lithography ስርዓቶች ውስጥ ያለማቋረጥ እየሰሩ የረጅም ጊዜ ተዓማኒነትን ያረጋግጣል፣ በ3nm ቺፕ ፋብስ ውስጥ የመተካት ጊዜን በመቀነስ -ይህ ዘላቂነት ከከፍተኛ አንጸባራቂ እና ዝቅተኛ የመምጠጥ ሁኔታ ጋር ይዛመዳል፣ በጠንካራ 13.5nm የፎቶን ተጋላጭነት አመታት ውስጥ ተከታታይ አፈጻጸምን በማስጠበቅ።
• MIL-O-13830A ታዛዥ ድንጋጤ/ንዝረት መቋቋም፡ በትራንስፖርት እና በአሰራር ላይ ያለውን መካኒካል ጭንቀትን የሚቋቋም፣ በተቋሞች መካከል ለሚንቀሳቀሱ EUV መሳሪያዎች ወሳኝ ወይም ለፋብሪካ ንዝረት መጋለጥ፣ የ3nm ስርዓተ-ጥለትን የሚያውኩ የአሰላለፍ ፈረቃዎችን ይከላከላል፣ የሁሉንም ዙር ጠንካራነት የሙቀት መረጋጋትን ይጨምራል።
• ብጁ AR ሽፋን 632-1550 nm የኋላ ነጸብራቅ ለማፈን: ባለብዙ-ሲስተም ማዋቀር ውስጥ ራቅ የሞገድ ከ ጣልቃ ያስወግዳል, 13.5nm EUV ብርሃን በማረጋገጥ, የፎቶlithography ትክክለኛነትን ያሻሽላል, 3nm የማኑፋክቸሪንግ ቅልመት ለማመቻቸት.

ለ 3nm ቺፕ ምርት ትክክለኛነት የተነደፈ

የኛ ነጠላ ክሪስታል ሲሊከን እጅግ በጣም ዝቅተኛ ኪሳራ ሉላዊ መስታወት የሚቀጥለው ትውልድ ሴሚኮንዳክተር ማምረት ያስችላል፡-

1. የንድፍ መዛባትን በλ/20 የሞገድ ፊት ትክክለኛነት ማስወገድ

2. የመስተዋት መተኪያ ዑደቶችን በ 40% ጉድለት በሌለበት ወለል መቀነስ

3. በ 0.001K በ <500% የሙቀት ተንሸራታች የጨረር ትስስርን መጠበቅ

በአለምአቀፍ ፈጣሪዎች የታመነ

"ወደ ሉላዊ መስተዋቶቻቸው ከተቀየርን በኋላ በ 1.8nm node የምርት መስመራችን 5% ከፍ ያለ የዋፈር ምርት አግኝተናል።"- ዋና መሐንዲስ ፣ ከፍተኛ 3 ሴሚኮንዳክተር OEM

ማበጀት እና ተገዢነት

• የመጠን መለዋወጥ፡ ከφ7.5 ሚሜ ማይክሮ ኦፕቲክስ እስከ 100 ሚሜ ንጣፎች
• የሽፋን አማራጮች:
• ብሮድባንድ UV-IR (250-2000 nm)
• ጠባብ-መስመራዊ ሌዘር (± 0.1 nm)
• በEUV የተመቻቹ ባለብዙ ሽፋን ቁልል
• ማረጋገጫዎች
• ISO 9001/14001 የተረጋገጠ ምርት
• ከ ITAR-ነጻ፣ REACH/ROHS ታዛዥ
• ሙሉ የ ASML አቅራቢ ኦዲት ዝግጁነት

ተደጋጋሚ ጥያቄዎች

ጥ: - በከፍተኛ ኃይል መተግበሪያዎች ውስጥ የሙቀት መበላሸትን እንዴት ይከላከላል?

መ: የእኛ መስተዋቶች ነጠላ-ክሪስታል ሲሊኮን እጅግ ዝቅተኛ CTE (0.05 ፒፒኤም/ኬ) ከጭንቀት-ነጻ የመጫኛ ንድፎች ጋር በማጣመር የቅርጽ መዛባትን በ<1 nm በ 500K እንኳን ይገድባል።

ጥ፡- እንከን የለሽ ንጣፎችን የሚያረጋግጡ የጥራት ቁጥጥር መለኪያዎች የትኞቹ ናቸው?

መልስ-እያንዳንዱ ነጠላ ክሪስታል ሲሊከን እጅግ በጣም ዝቅተኛ ኪሳራ ሉላዊ መስታወት ያካሂዳል፡

• ነጭ ብርሃን ኢንተርፌሮሜትሪ (0.1 nm ጥራት)
• 100% ጉድለት ካርታ በጨለማ መስክ ማይክሮስኮፒ
• የኤልዲቲ ሙከራ እስከ 50MW/ሴሜ²

ጥ: አሁን ያለውን የኦሪጂናል ዕቃ አምራች ሽፋን ዝርዝሮችን ማዛመድ ይችላሉ?

መ: አዎ. የእርስዎን አንጸባራቂ ከርቭ መስፈርቶች ያጋሩ እና የእኛ ሽፋን ቡድን በ72 ሰዓታት ውስጥ ለኪሳራ የተመቻቹ መፍትሄዎችን ይሰጣል።

የእርስዎን ነፃ የመስታወት ማስመሰል ይጠይቁ

የእርስዎን የኦፕቲካል ሲስተሞች በእኛ ከፍ ለማድረግ ዝግጁ ነዎት ነጠላ ክሪስታል ሲሊከን እጅግ በጣም ዝቅተኛ ኪሳራ ሉላዊ መስታወት? የኛ የባለሙያዎች ቡድን ለፕሮጀክትህ ፍፁም መፍትሄ እንድታገኝ ሊረዳህ ነው።

ኢሜይል: xachaona@163.com